Gate Bipolar Transistor (IGBT) modelidir. Bu transistör, yüksek kısa devre dayanımı ve hızlı anahtarlama özellikleriyle motor kontrol uygulamaları için optimize edilmiştir. Ayrıca, ultra hızlı ve yumuşak geri kazanım (soft recovery) özellikli bir antiparalel diyot ile birlikte gelir, bu da enerji verimliliğini artırır ve anahtarlama kayıplarını azaltır.
Temel Özellikler:
-
Kollektör-Emitör Voltajı (V_CES): 1200V
-
Kollektör Akımı (I_C): 25°C'de 30A, 100°C'de 15A
-
V_CE(on) (Tipik): 2.74V (V_GE = 15V, I_C = 15A koşullarında)
-
Kısa Devre Dayanım Süresi (t_sc): 10 µs (720V, 125°C, V_GE = 15V)
-
Paket Türü: TO-247AC
-
Anahtarlama Hızı: Ultra hızlı (UltraFast), motor kontrolü gibi yüksek güçlü uygulamalara uygun
-
Diyot: HEXFRED™ teknolojisi ile ultra hızlı ve yumuşak geri kazanım
Kullanım Alanları:
IRG4PH40KD, genellikle şu uygulamalarda kullanılır:
-
Motor sürücüleri (örneğin, endüstriyel motor kontrolü)
-
Kesintisiz güç kaynakları (UPS)
-
İnverter sistemleri
-
Yüksek güçlü anahtarlama devreleri
Bu IGBT, düşük iletim kayıpları ile yüksek anahtarlama hızını birleştirerek enerji verimliliği gerektiren sistemlerde tercih edilir. Ayrıca, önceki nesillere göre daha sıkı parametre dağılımı sunar, bu da tasarımcılar için tutarlılık sağlar.