-
Tip: N-Kanal, Geliştirme Modu (Enhancement Mode) MOSFET
-
Drenaj-Kaynak Voltajı (V_DS): 75V, güç devreleri için uygun
-
Sürekli Drenaj Akımı (I_D): 82A (T_C=25°C), yüksek akım kapasitesi
-
Açık Durum Direnci (R_DS(on)): 13mΩ (maksimum, V_GS=10V), düşük enerji kaybı
-
Kapı Eşik Voltajı (V_GS(th)): 2V - 4V, hassas kontrol
-
Toplam Kapı Yükü (Q_g): 130nC, hızlı anahtarlama
-
Giriş Kapasitansı (C_iss): 3820pF, düşük parazitik etkiler
-
Çıkış Kapasitansı (C_oss): 600pF, yüksek frekans performansı
-
Yükselme Süresi (t_r): 64ns, hızlı geçiş süreleri
-
Maksimum Güç Dağılımı (P_d): 230W (T_C=25°C), yüksek güç kapasitesi
-
Çalışma Sıcaklığı: -55°C ila +175°C, zorlu koşullarda dayanıklı
-
Paket: D2PAK (TO-263), yüzey montaj, yüksek termal performans
-
Çığ Dayanıklılığı: %100 çığ testli, yüksek güvenilirlik
-
Hızlı Anahtarlama: 100kHz’e kadar frekanslarda etkin
-
RoHS Uyumluluğu: Çevre dostu, kurşunsuz üretim
-
Dinamik dv/dt Dayanımı: Güçlü anahtarlama performansı
-
Düşük Kapı Direnci: Geliştirilmiş anahtarlama verimliliği