-
Tip: P-Kanal, Geliştirme Modu (Enhancement Mode) MOSFET
-
Drenaj-Kaynak Voltajı (V_DS): -55V, düşük voltajlı devreler için uygun
-
Sürekli Drenaj Akımı (I_D): -31A (T_C=25°C), -22A (T_C=100°C)
-
Açık Durum Direnci (R_DS(on)): 0.06Ω (V_GS=-10V), düşük enerji kaybı
-
Kapı Eşik Voltajı (V_GS(th)): -2V ila -4V, hassas kontrol
-
Toplam Kapı Yükü (Q_g): 63nC (maksimum), hızlı anahtarlama
-
Giriş Kapasitansı (C_iss): 1200pF, düşük parazitik etkiler
-
Çıkış Kapasitansı (C_oss): 520pF, yüksek frekans performansı
-
Yükselme Süresi (t_r): 66ns, hızlı geçiş süreleri
-
Maksimum Güç Dağılımı (P_d): 110W (T_C=25°C), yüksek güç kapasitesi
-
Çalışma Sıcaklığı: -55°C ila +175°C, zorlu koşullarda dayanıklı
-
Paket: TO-220AB, yüksek termal performans, izole montaj deliği
-
Çığ Dayanıklılığı: %100 çığ testli, yüksek güvenilirlik
-
Hızlı Anahtarlama: 100kHz’e kadar frekanslarda etkin
-
RoHS Uyumluluğu: Çevre dostu, kurşunsuz üretim
-
Dinamik dv/dt Dayanımı: Güçlü anahtarlama performansı
-
Boyutlar: 10.54mm x 4.69mm x 8.77mm (uzunluk x genişlik x yükseklik)
-
Termal Direnç (RθJC): 1.36°C/W, etkin ısı dağıtımı