IXFH26N50, IXYS (şimdi Littelfuse tarafından devralınmıştır) tarafından üretilen bir N-Channel Power MOSFET bileşenidir ve TO-247AD paketinde sunulur. Bu MOSFET, yüksek voltaj ve akım kapasitesi ile yüksek hızlı anahtarlama ve düşük iletim kayıpları gerektiren uygulamalar için tasarlanmıştır. HiPerFET™ teknolojisi sayesinde düşük açma direnci (RDS(on)), hızlı anahtarlama ve çığ dayanımı sunar. Aşağıda IXFH26N50’nin detaylı özellikleri yer almaktadır:
-
Transistör Tipi: N-Channel, Enhancement Mode MOSFET.
-
Paket Tipi: TO-247AD, delikli montaj (through-hole) için uygun, sağlam tasarım (yaklaşık 15.9mm x 5.3mm x 20.3mm).
-
Pim Konfigürasyonu:
-
1: Kapı (Gate)
-
2: Drenaj (Drain)
-
3: Kaynak (Source)
-
Maksimum Gerilim Değerleri:
-
Drenaj-Kaynak Voltajı (V_DSS): 500V, yüksek voltaj uygulamaları için uygun.
-
Kapı-Kaynak Voltajı (V_GS): ±20V.
-
Maksimum Akım:
-
Açma Direnci (R_DS(on)): Maksimum 200mΩ (V_GS=10V, I_D=12A), düşük iletim kayıpları sağlar.
-
Güç Dağılımı (P_D): 300W (25°C’de), yüksek güç kapasitesi.
-
Kapı Eşik Voltajı (V_GS(th)): Tipik 4V, hassas kontrol imkanı.
-
Anahtarlama Özellikleri:
-
Yükselme Süresi (t_r): Tipik 29ns.
-
Geri Kazanım Süresi (t_rr): 250ns, hızlı intrinsic diyot ile düşük anahtarlama kayıpları.
-
Toplam Kapı Yükü (Q_g): Tipik 120nC.
-
Çığ Dayanımı (Avalanche Rated): Yüksek enerji darbelerine karşı dayanıklı.
-
Çalışma Sıcaklık Aralığı: -55°C ila +150°C, endüstriyel ve zorlu koşullarda güvenilir performans.
-
Özellikler:
-
HiPerFET™ Teknolojisi: Düşük R_DS(on), yüksek dv/dt dayanımı ve hızlı anahtarlama.
-
Hızlı Intrinsic Diyot: Düşük geri kazanım kayıpları ve EMI azaltımı.
-
Düşük Paket Kapasitansı: Elektromanyetik girişimi (EMI) azaltır.
-
RoHS Uyumluluğu: Çevre dostu üretim.
-
Uygulama Alanları:
-
DC-DC dönüştürücüler ve flyback dönüştürücüler.
-
Motor sürücüleri ve frekans invertörleri.
-
Kesintisiz güç kaynakları (UPS).
-
Endüstriyel anahtarlama devreleri ve yenilenebilir enerji sistemleri (örneğin, güneş invertörleri).
Not: IXFH26N50, IXFH26N50P3 veya IXFH26N50Q gibi varyantlarla karıştırılmamalıdır. IXFH26N50P3, Polar3™ teknolojisi ile daha düşük R_DS(on) (230mΩ) sunar; IXFH26N50Q, Q-Class serisi ile daha optimize anahtarlama özellikleri sağlar. Doğru modeli seçmek için veri sayfasını (datasheet) kontrol etmeniz önerilir.
Nereden Satın Alabilirsiniz?
IXFH26N50 TO-247 MOSFET’i güvenilir bir kaynaktan temin etmek için DELTASET ELEKTRONİK’i tercih edebilirsiniz. İstanbul Karaköy merkezli DELTASET ELEKTRONİK, MOSFET’ler, IGBT’ler, entegre devreler, klemensler ve diğer elektronik bileşenleri geniş bir yelpazede sunar. Orijinal ürün garantisi, hızlı teslimat ve müşteri odaklı hizmet anlayışıyla DELTASET, elektronik projeleriniz için güvenilir bir tedarikçidir.
İletişim Bilgileri: