Başlık: HGTG30N60B3D TO-247 ON Semiconductor 60A 600V N-Kanal IGBT ve Anti-Paralel Hiper Hızlı Diyot
HGTG30N60B3D (marka kodu: G30N60B3D, diğer adıyla 30N60), ON Semiconductor (eski adıyla Fairchild Semiconductor) tarafından üretilen bir N-kanal IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) olup, TO-247 kılıfında yüksek voltajlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 600V kollektör-emiter gerilimi, 60A sürekli kollektör akımı ve 208W güç dağılımıyla, entegre anti-paralel hiper hızlı diyot sayesinde düşük iletim kayıpları ve yüksek anahtarlama hızı sunar. MOSFET’lerin yüksek giriş empedansı ile bipolar transistörlerin düşük iletim kaybını birleştiren bu IGBT, AC/DC motor kontrolü, kesintisiz güç kaynakları (UPS) ve solar invertörler gibi uygulamalarda kullanılır. Bu rehber, HGTG30N60B3D’nin teknik özelliklerini, kullanım alanlarını, fiyat ve stok bilgilerini detaylı bir şekilde sunarak “HGTG30N60B3D datasheet”, “G30N60B3D fiyat” veya “30N60 satın al” gibi aramalar için SEO uyumlu, kapsamlı bir içerik sunar.
HGTG30N60B3D TO-247 ON Semiconductor Nedir?
HGTG30N60B3D, MOS kapılı bir yüksek voltaj anahtarlama cihazıdır ve entegre anti-paralel hiper hızlı diyot (TA49053) içerir. IGBT’nin kendisi, gelişim tipi TA49170’tir ve 25°C ile 150°C arasında düşük iletim gerilimi düşüşü (V<sub>CE(sat)</sub>: 1.45V tipik) sağlar. TO-247 kılıf, yüksek termal performans ve delik içi teknoloji (THT) montaj kolaylığı sunar. Orta frekanslı anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiş olup, 600V anahtarlama SOA (Safe Operating Area) kapasitesine sahiptir. Düşük kapı yükü (170nC) ve hızlı yükselme süresi (25ns) ile verimli anahtarlama sağlar.
HGTG30N60B3D Teknik Özellikler
Teknik özellikler, ON Semiconductor veri sayfasından ve diğer kaynaklardan (AllTransistors, AllDataSheet, DigiKey) derlenmiştir:
-
Tip: N-Kanal IGBT + Anti-Paralel Hiper Hızlı Diyot.
-
Kılıf Tipi: TO-247 (3-Pin + Tab, Through-Hole).
-
Üretici: ON Semiconductor (eski Fairchild Semiconductor).
-
Parça Numarası: HGTG30N60B3D (Marka Kodu: G30N60B3D, diğer ad: 30N60).
-
Kollektör-Emitter Gerilimi (V<sub>CEO</sub>): 600V.
-
Kollektör-Baz Gerilimi (V<sub>CBO</sub>): 600V.
-
Kapı-Emitter Gerilimi (V<sub>GE</sub>): ±20V.
-
Sürekli Kollektör Akımı (I<sub>C</sub>):
-
Güç Dağılımı (P<sub>D</sub>): 208W (@ T<sub>C</sub> = 25°C).
-
Kollektör-Emitter Doyma Gerilimi (V<sub>CE(sat)</sub>):
-
1.45V (tipik, @ I<sub>C</sub> = 30A, V<sub>GE</sub> = 15V, T<sub>J</sub> = 25°C).
-
1.9V (maksimum, @ T<sub>J</sub> = 150°C).
-
Kapı-Emitter Eşik Gerilimi (V<sub>GE(th)</sub>): 6V (maksimum).
-
Toplam Kapı Yükü (Q<sub>g</sub>): 170nC (tipik).
-
Yükselme Süresi (t<sub>r</sub>): 25ns (tipik).
-
Düşme Süresi (t<sub>f</sub>): 90ns (tipik, @ T<sub>J</sub> = 150°C).
-
Anahtarlama SOA: 600V kapasite.
-
Çalışma Sıcaklığı (T<sub>J</sub>): -55°C ila +150°C.
-
Pin Konfigürasyonu:
-
Pin 1: Kapı (Gate).
-
Pin 2: Kollektör (Collector).
-
Pin 3: Emitter (Emitter).
-
Tab: Kollektör (Collector).
-
Özel Özellikler:
-
Entegre anti-paralel hiper hızlı diyot (TA49053, RHRP3060).
-
Düşük iletim kaybı, 25°C-150°C arası sabit V<sub>CE(sat)</sub>.
-
Yüksek giriş empedansı (MOSFET özelliği).
-
600V anahtarlama SOA kapasitesi.
-
RoHS uyumlu.
-
Termal Direnç:
-
Boyutlar: ~15.9mm x 5.0mm x 20.9mm (TO-247).
-
Ağırlık: ~6g.
-
Gelişim Kodları: IGBT (TA49170), Diyot (TA49053).
-
Eski Kod: TA49172.
Bu özellikler, HGTG30N60B3D’yi yüksek voltajlı anahtarlama için ideal kılar.
HGTG30N60B3D Kullanım Alanları
HGTG30N60B3D, düşük iletim kayıpları ve orta frekanslı anahtarlama gerektiren uygulamalarda kullanılır:
-
AC ve DC Motor Kontrolü: Endüstriyel motor sürücüleri.
-
Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS): Güç sürekliliği sistemleri.
-
Solar İnvertörler: Yenilenebilir enerji dönüşümü.
-
Güç Kaynakları: SMPS (Switch Mode Power Supplies).
-
Solenoid, Röle ve Kontaktör Sürücüleri: Endüstriyel kontrol sistemleri.
-
Kaynak Makineleri: Yüksek voltajlı anahtarlama devreleri.
-
EV Şarj İstasyonları: Güç elektroniği.
Anti-paralel diyot, ters akım koruması sağlayarak motor kontrolü gibi uygulamalarda güvenilirlik sunar.
HGTG30N60B3D Avantajlar
Neden HGTG30N60B3D’yi seçmelisiniz? Temel avantajlar:
-
Yüksek Voltaj ve Akım Kapasitesi: 600V, 60A, zorlu uygulamalar için uygun.
-
Düşük İletim Kaybı: 1.45V tipik V<sub>CE(sat)</sub>, enerji verimliliği.
-
Hızlı Anahtarlama: 25ns yükselme, 90ns düşme süresi.
-
Entegre Diyot: Anti-paralel hiper hızlı diyot, devre tasarımını basitleştirir.
-
Geniş Sıcaklık Aralığı: -55°C ila +150°C, endüstriyel kullanım.
-
ON Semiconductor Kalitesi: Güvenilirlik ve uzun vadeli destek.
HGTG30N60B3D ile Benzer IGBT’ler
-
HGTG30N60A4D: 75A, 600V, SMPS için optimize, daha yüksek frekans (>100kHz).
-
HGTG30N60C3D: 63A, 600V, daha yavaş düşme süresi (230ns).
-
IRG4PF50W: Infineon, 51A, 900V, farklı voltaj aralığı.
-
FGA60N60UFD: Fairchild, 60A, 600V, benzer özellikler.
-
HGTG40N60B3: 70A, 600V, daha yüksek akım kapasitesi.
Seçim Kriteri: HGTG30N60B3D, 60A 600V orta frekans uygulamaları için idealdir; HGTG30N60A4D, yüksek frekanslı SMPS’ler için daha uygundur.
HGTG30N60B3D Sık Sorulan Sorular (SSS)
-
HGTG30N60B3D’nin maksimum akımı nedir? 60A (@ T<sub>C</sub> = 25°C).
-
Anti-paralel diyotun amacı nedir? Ters akım koruması, özellikle motor kontrolünde.
-
SMD versiyonu var mı? Hayır, yalnızca TO-247 THT kılıf mevcut.
HGTG30N60B3D Veri Sayfası ve Teknik Dokümantasyon
Tam teknik detaylar için HGTG30N60B3D veri sayfasına aşağıdaki kaynaklardan ulaşabilirsiniz:
-
ON Semiconductor: www.onsemi.com (HGTG30N60B3D datasheet, ~214KB, 8 sayfa).
-
-
-
Not: Veri sayfası; pinout, elektriksel özellikler, anahtarlama karakteristikleri, termal veriler ve uygulama devreleri (motor sürücü, UPS) içerir.
HGTG30N60B3D Fiyat ve Stok Bilgileri
HGTG30N60B3D’yi satın almak için :