-
Tip: N-Kanal, Geliştirme Modu (Enhancement Mode) MOSFET
-
Drenaj-Kaynak Voltajı (V_DS): 100V, düşük voltajlı devreler için uygun
-
Sürekli Drenaj Akımı (I_D): 1.5A (T_C=25°C), düşük akım uygulamaları
-
Açık Durum Direnci (R_DS(on)): 0.54Ω (V_GS=10V), verimli güç aktarımı
-
Kapı Eşik Voltajı (V_GS(th)): 2V - 4V, hassas kontrol
-
Toplam Kapı Yükü (Q_g): 8.3nC (maksimum), hızlı anahtarlama
-
Giriş Kapasitansı (C_iss): 180pF, düşük parazitik etkiler
-
Çıkış Kapasitansı (C_oss): 81pF, yüksek frekans performansı
-
Yükselme Süresi (t_r): 16ns, hızlı geçiş süreleri
-
Maksimum Güç Dağılımı (P_d): 2W (T_A=25°C), kompakt tasarımlar için uygun
-
Çalışma Sıcaklığı: -55°C ila +150°C, zorlu koşullarda dayanıklı
-
Paket: SOT223 (4-pin, TO-261AA), yüzey montaj, küçük PCB’ler için ideal
-
Çığ Dayanıklılığı: %100 çığ testli, yüksek güvenilirlik
-
Hızlı Anahtarlama: 100kHz’e kadar frekanslarda etkin
-
RoHS Uyumluluğu: Çevre dostu, kurşunsuz üretim
-
Dinamik dv/dt Dayanımı: Güçlü anahtarlama performansı
-
Kolay Paralelleme: Düşük kapı yükü ile paralel bağlantı kolaylığı